股票啦 www.gupiaola.com 2021年12月19日报道：和三星还雄心勃勃地提出了一些大胆的想法

IBM 和三星在半导体材料(512480)设计上再取得新进展！据这两家公司称，美股投资者赔偿案例他们研发出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。而在之前的设计中，晶体管是被平放在半导体材料(512480)表面上的。

新的垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET 技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。

这样的布局将让电流在晶体管堆叠中上下流动，美股投资者赔偿案例而在目前大多数芯片上使用的设计中，电流则是水平流动的。

半导体材料(512480)的垂直设计开端已久，并从现在通用的FinFET技术中获得了肯定的灵感。据悉，虽然其最初的工作重点是芯片组件的堆叠而非优化晶体管的排布，英特尔将来将关键朝着这个方向进行开发与设计。

当然这也有据可循：当平面空间已经更难让晶体管进行堆叠时，美股投资者赔偿案例唯独真正的方向(除了物理缩小晶体管技术)是向上。

虽然人们距离实际消费类芯片中使用 VTFET 设计还有很长的路要走，但英特尔和三星两家公司正强势发声。他们指出 VTFET 芯片可以让设备“性能提高两倍或能源使用减少 85%”。

IBM 和三星还雄心勃勃地提出了一些大胆的想法，比如“手机充一次电用一周”。这能让能源密集型的产业能耗大幅降低，美股投资者赔偿案例比如数据加密；同时，这项技术乃至也可以为更强大的物联网设备乃至航天器赋能。

IBM此前曾在今年早些时候展示过它的首款 2nm 芯片。该芯片运用了与之前不同的方式来填充更多晶体管，方法是使用现有的 FinFET 设计扩大可以安装在芯片上的数量。

然而，美股投资者赔偿案例VTFET技术则是更进一步，虽然距离人们看到使用这项技术的芯片面世还有很长一段时间。

然而IBM也非唯独一家展望将来生产的公司。英特尔在今年夏天公布了其马上推出的 RibbonFET(英特尔首款全环栅晶体管)设计，这是其在FinFET技术上获得的专利。

这项技术将成为英特尔 20A 代半导体材料(512480)产品的一部分，美股投资者赔偿案例而20A代芯片则计划于 2024 年开端量产。

最近，IBM还宣布了自己的堆叠晶体管技术计划，并将其作为RibbonFET将来的次世代产品。